X射線顯微鏡介紹：

作為XradiaVersa系列中前沿的產(chǎn)品，蔡司Xradia610&620Versa3D在科研和工業(yè)研究領(lǐng)域為您開啟多樣化應(yīng)用的新高度。

基于高分辨率和襯度成像技術(shù)，Xradia610&620Versa大大拓展了亞微米級無損成像的研究界限。

X射線顯微鏡優(yōu)勢：

擴大了微米級和納米級CT解決方案的應(yīng)用范圍。

無損亞微米級分辨率顯微觀察。    

在不影響分辨率的情況下可實現(xiàn)更高通量和更快的掃描。    

空間分辨率500nm，最小體素40nm。  

可在不同工作距離下對不同類型、不同尺寸的樣品實現(xiàn)高分辨率成像。    

原位成像技術(shù)，在受控環(huán)境下對樣品微觀結(jié)構(gòu)的動態(tài)演化過程進行無損表征。    

可隨著未來的創(chuàng)新發(fā)展進行升級和擴展。    

更高的分辨率和通量：

傳統(tǒng)斷層掃描技術(shù)依賴于單一幾何放大，而XradiaVersa則將采用光學(xué)和幾何兩級放大，同時使用可以實現(xiàn)更快亞微米級分辨率的高通量X射線源。大工作距離下高分辨率成像技術(shù)（RaaD）能夠?qū)Τ叽绺?、密度更高的樣品（包括零件和設(shè)備）進行無損高分辨率3D成像。此外，可選配的平板探測器技術(shù)（FPX）能夠?qū)Υ篌w積樣品（重達25kg）進行快速宏觀掃描，為樣品內(nèi)部感興趣區(qū)域的掃描提供了定位導(dǎo)航。

實現(xiàn)新的自由度：

運用業(yè)界出色的3DX射線成像解決方案完成前沿的科研與工業(yè)研究：憑借利用吸收和相位襯度，幫助您識別更豐富的材料信息及特征。運用衍射襯度斷層掃描技術(shù)（LabDCT）揭示3D晶體結(jié)構(gòu)信息。的圖像采集技術(shù)可實現(xiàn)對大樣品或不規(guī)則形狀樣品的高精度掃描。運用機器學(xué)習(xí)算法，幫助您進行樣品的后處理和分割。

優(yōu)異的4D/原位解決方案：

蔡司Xradia600Versa系列能夠在可控環(huán)境下進行材料3D無損微觀結(jié)構(gòu)表征的動態(tài)過程。憑借XradiaVersa在大工作距離下仍可保持高分辨率成像的特性，可將樣品放置到樣品艙室或高精度原位加載裝置中進行高分辨率成像。Versa可與蔡司其它顯微鏡無縫集成，解決多尺度成像方面的挑戰(zhàn)。

不受影響的高分辨率：

由于幾何放大固有的影響，常規(guī)的X射線計算機斷層掃描(CT)只能夠?qū)π悠愤M行高分辨率成像。受長工作距離的要求限制，對于大的樣品實現(xiàn)高分辨率成像是不可能的。此外，CT系統(tǒng)要實現(xiàn)高分辨率成像還需要具備低X射線通量，從而降低了檢測效率。大多數(shù)CT制造商所聲稱的高分辨率與實際的應(yīng)用分辨率是不符的。

蔡司Xradia600Versa系列通過將兩級放大架構(gòu)與高通量X射線源技術(shù)相結(jié)合，解決了這些問題。

蔡司采用真實空間分辨率的概念，為衡量3D性能提供了標準?？臻g分辨率是指成像系統(tǒng)能夠分辨兩個特征的最小距離。蔡司Xradia600Versa系列可實現(xiàn)500nm空間分辨率和40nm最小體素。

RaaD的多功能優(yōu)勢：

蔡司XradiaVersa采用兩級放大技術(shù)，讓您在大的工作距離下仍可以對不同類型和不同尺寸的樣品進行亞微米分辨率成像，即RaaD技術(shù)。如同在傳統(tǒng)的micro-CT中一樣，樣品圖像最初行了幾何放大。投影的信號映射在閃爍體上，閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換為可見光。隨后，光學(xué)物鏡會在圖像到達探測器前對其進行再次放大。

蔡司Xradia600Versa系列可以產(chǎn)生更多的X射線光子信號，因此可以在不影響分辨率的情況下對不同尺寸和不同類型的樣品進行成像。

傳統(tǒng)microCT架構(gòu)

樣品必須接近射線源才能實現(xiàn)分辨率

蔡司XRM兩級放大架構(gòu)

樣品成像不依賴于到射線源的距離

樣品成像不依賴于到射線源的距離，能對較大樣品的內(nèi)部進行高分辨率無損成像

蔡司OptiRecon

相似的結(jié)果，速度提升至4倍

蔡司OptiRecon采用迭代重構(gòu)，可以極大地提高采集速度，同時優(yōu)化圖像質(zhì)量

蔡司OptiRecon可讓您用大約四分之一的數(shù)據(jù)采集時間，在常見的許多樣品中獲得優(yōu)異的圖像質(zhì)量，包括科學(xué)研究、工業(yè)能源、工程，自然資源、生物、半導(dǎo)體、制造業(yè)和電子研究領(lǐng)域等

用于電池研究的OptiRecon4X速度

用于電池研究的OptiRecon4X速度

圖像質(zhì)量可比條件下，手機攝像頭模塊可將速度提高4倍

圖像質(zhì)量可比條件下，手機攝像頭模塊可將速度提高4倍

從右向左滑動以進行比較：

標準重構(gòu)

OptiRecon

應(yīng)用案例

蔡司Xradia610&620Versa應(yīng)用案例

鋰離子電池

典型任務(wù)和應(yīng)用：

工藝流程開發(fā)和供應(yīng)鏈控制：檢查完整樣品從而進行有效的源控制，發(fā)現(xiàn)可能影響性能或壽命的工藝流程調(diào)整或成本節(jié)約方案

安全與質(zhì)量檢測：識別電觸點上的碎片、顆粒、毛刺或聚合物分離器的損壞情況

壽命與老化效應(yīng)：老化效應(yīng)的縱向研究

完整的圓柱電池(160kV)

完整的圓柱電池(160kV)–焊接毛刺、金屬夾雜物、導(dǎo)電層的褶皺和扭結(jié)

大軟包電池(120kV)

大軟包電池(120kV)—失效分析、膨脹、潤濕、電解液析氣

小軟包電池(80kV)

小軟包電池(80kV)—原位微結(jié)構(gòu)、陰極顆粒級老化效應(yīng)，分離器層

小軟包電池

小軟包電池：0.4x概覽掃描；4x大工作距離下的高分辨率；20x大工作距離下的高分辨率

電子設(shè)備與半導(dǎo)體封裝

典型任務(wù)和應(yīng)用：

對半導(dǎo)體封裝，包括2.5D/3D和扇出型封裝進行工藝開發(fā)、良率改進和結(jié)構(gòu)分析

分析印刷電路板，以實現(xiàn)逆向工程和硬件安全保障

在多尺度下對封裝模組內(nèi)部連接情況進行無損亞微米級成像，對缺陷位置進行快速的定位和表征以獲取能夠補充或替代物理切片的結(jié)果

可從任意想要的角度觀察虛擬切片和平面圖像，詳細了解缺陷的位置和分布

顯示2.5D封裝中的C4凸塊、TSV和銅微柱凸塊，從而以體素尺寸1µm的高分辨率查看封裝模組內(nèi)部的情況

顯示2.5D封裝中的C4凸塊、TSV和銅微柱凸塊，從而以體素尺寸1µm的高分辨率查看封裝模組內(nèi)部的情況

2.5D封裝的虛擬切片顯示了C4凸塊中的焊料裂紋和孔隙

2.5D封裝的虛擬切片顯示了C4凸塊中的焊料裂紋和孔隙

10mmx7mmx1mm封裝內(nèi)的DRAM封裝模組內(nèi)部連接情況，其中包含一個4模堆棧

10mmx7mmx1mm封裝內(nèi)的DRAM封裝模組內(nèi)部連接情況，其中包含一個4模堆棧。以三維、0.8µm/體素尺寸輕松顯示焊料缺陷

DRAM封裝中微凸塊的虛擬切片

DRAM封裝中微凸塊的虛擬切片。TSV的直徑6μm，微凸塊的平均直徑35µm?？梢?μm的小型焊料孔隙

材料研究

典型任務(wù)和應(yīng)用：

表征三維結(jié)構(gòu)

觀察失效機制、退化現(xiàn)象和內(nèi)部缺陷

在多尺度上檢查特性

量化顯微結(jié)構(gòu)的演變

執(zhí)行原位和4D（隨時間推移的研究）成像，用以開展加熱、冷卻、干燥、加濕、拉伸、壓縮、液體注入、排出及其它模擬環(huán)境的影響

增材制造的格狀結(jié)構(gòu)

增材制造的格狀結(jié)構(gòu)

在多個尺度進行的多孔泡沫玻璃絕緣成像

在多個尺度進行的多孔泡沫玻璃絕緣成像

碳纖維增強聚合物基復(fù)合材料

碳纖維增強聚合物基復(fù)合材料

混凝土中多相結(jié)構(gòu)的高分辨率斷層掃描和相分割結(jié)果

混凝土中多相結(jié)構(gòu)的高分辨率斷層掃描和相分割結(jié)果

原材料

典型任務(wù)和應(yīng)用：

進行多尺度孔隙結(jié)構(gòu)和流體流動分析

利用原位流動設(shè)備直接在孔隙尺度上測量流體流動

使用LabDCT分析晶體結(jié)構(gòu)

顆粒分析與全三維重建

改進礦物加工工藝，分析尾礦以更大限度提高采收率，進行熱力學(xué)浸出研究，對鐵礦石等采礦產(chǎn)品進行QA/QC分析以研究鋼鐵和其它金屬中顆粒的取向

了解鋼和其他材料中的晶粒取向

從約26000個黃鐵礦顆粒中鑒定的單個金粒

從約26000個黃鐵礦顆粒中鑒定的單個金粒

砂巖巖心的多尺度無損表征

砂巖巖心的多尺度無損表征，顯示高質(zhì)量的無損內(nèi)部層析成像和完整的孔隙尺度分析研究（顯示孔隙分離）

分塊橄欖石的傳統(tǒng)吸收襯度圖像

分塊橄欖石的傳統(tǒng)吸收襯度圖像

用LabDCT在分塊橄欖石上鑒定單個亞晶體取向

用LabDCT在分塊橄欖石上鑒定單個亞晶體取向