簡(jiǎn)要描述：簡(jiǎn)要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

FPD-PECVD（Field Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種電漿輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)，它利用電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體來(lái)促進(jìn)化學(xué)氣相沉積過(guò)程。該技術(shù)在薄膜材料的制備中具有重要作用，特別是在大面積平板顯示（Flat Panel Display，FPD）制造領(lǐng)域。

FPD-PECVD技術(shù)通過(guò)在反應(yīng)室內(nèi)施加電場(chǎng)，激發(fā)氣體分子產(chǎn)生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學(xué)前驅(qū)體分子發(fā)生反應(yīng)，形成沉積在基板上的薄膜。與傳統(tǒng)的PECVD技術(shù)相比，FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量，從而提高薄膜的質(zhì)量和均勻性。

該技術(shù)廣泛應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）面板的生產(chǎn)中，用于沉積絕緣層、導(dǎo)電層、保護(hù)層等關(guān)鍵薄膜。FPD-PECVD技術(shù)的優(yōu)化和應(yīng)用對(duì)于提升顯示面板的性能和生產(chǎn)效率具有重要意義。

應(yīng)用領(lǐng)域
非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。

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